|
Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
|
| Max. Temperature: | 1200C | La température fonctionnante: | pas plus que 1100C |
|---|---|---|---|
| Taux de chauffage: | 0-20 ' C | Uniformité de la température: | ±5℃ |
| Diamètre de tube: | Taille de client | Élément de chauffe: | Fil de résistance avec le MOIS |
| Contrôle de température: | Contrôle automatique de PID par l'intermédiaire de contrôle de puissance de thyristor | ||
| Surligner: | Machine de déposition en phase vapeur 1000KW,Machine de pecvd d'OIN,Le plasma 1000KW a augmenté le système de déposition de vapeur chimique |
||
Machine de système augmentée par plasma de la déposition en phase vapeur PECVD
Le système de PECVD, en ionisant le gaz atome-contenant avec la micro-onde ou la radiofréquence, créent le plasma actif localement, qui réagira facilement pour déposer et former la couche mince prévue. Il convient au processus de PECVD, tel que le carbure de silicium enduisant l'essai en céramique de conductivité de substrat, la croissance commandée des nanostructures de ZnO, l'expérience en céramique d'agglomération d'atomosphere des condensateurs (MLCC), etc.
Affichage de produit :
Emballage et expédition :
Boîte en bois avec le polyfoam rempli à l'intérieur pour assurer le transport sûr.
Des colis peuvent être envoyés par la mer, par avion, par exprès, etc. par demande du client.
Personne à contacter: Mr. John Fang
Téléphone: 86-13837786702
